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S29GL512P11TAI010  Cypress（赛普拉斯）NOR闪存 原厂原装

制造商：Cypress（赛普拉斯）

规格型号：S29GL512P11TAI010

英文名称：NOR Flash

存储格式：NOR

安装类型：表面贴装

原厂包装：盘装

电源电压：2.7 V-3.6V

工作温度：- 40 C-+ 85 C

零件状态：批量生产产品用途：Cypress公司是一家的芯片制造商，中文名称—赛普拉斯。 赛普拉斯在纽约股票交易所上市，在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。我司分销的产品包括NAND/NOR型闪存，FRAM铁电存储，SRAM静态随机存储器等存储类芯片。主要用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。

NOR Flash概述

NOR Flash是一种非易失闪存技术,NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

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