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深圳市明锐微科技有限公司
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产品信息
FM21L16-60-TG Cypress(赛普拉斯)FRAM 原厂原装
制造商:Cypress(赛普拉斯)
规格型号:FM21L16-60-TG
英文名称:ferroelectric RAM
中文名称:铁电存储器
存储格式:RAM
安装类型:表面贴装
原厂包装:管装
零件状态:批量生产
产品用途:Cypress公司是一家的芯片制造商,中文名称—赛普拉斯。 赛普拉斯在纽约股票交易所上市,在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。我司分销的产品包括NAND/NOR型闪存,FRAM铁电存储,SRAM静态随机存储器等存储类芯片。主要用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。
铁电存储器概述
铁电随机存取内存(Ferroelectric RAM,缩写为FeRAM或FRAM),类似于SDRAM,是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料,取代原有的介电质,使得它也拥有非挥发性内存的功能。麻省理工大学达德利·艾伦·巴克(Dudley Allen Buck)在1952年提出的硕士论文中,首次提出了这个概念。
铁电存储器(FRAM,ferroelectric RAM)是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器(DRAM)的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存)结合起来。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)一样密集(即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据),它很可能不能取代这些技术。然而,由于它能在非常低的电能需求下快速地存储,它有望在消费者的小型设备中得到广泛地应用,比如个人数字助理(PDA)、手机、功率表、智能卡以及安全系统。铁电存储器(FRAM)比闪存更快。在一些应用上,它也有可能替代电可擦除只读存储器(EEPROM)和静态随机存取存储器(SRAM),并成为未来的无线产品的关键元件
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