深圳市明锐微科技有限公司

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产品分类

H9HKNNNDGUMUBR-NLH 供应SKhynix原装LPDDR4
H9HKNNNDGUMUBR-NLH 供应SKhynix原装LPDDR4
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H9HKNNNDGUMUBR-NLH 供应SKhynix原装LPDDR4

型号:

H9HKNNNDGUMUBR-NLH

品牌:

SK hynix

封装:

FBGA

类型:

LPDDR4

包装:

托盘

安装类型:

表面贴装

产品信息




H9HKNNNDGUMUBR-NLH SK Hynix (海力士)LPDDR4  原厂原装



生产商:SK Hynix

规格型号:H9HKNNNDGUMUBR-NLH

英文名称:Low Power DDR4

中文名称:四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

存储格式:DRAM

安装类型:表面贴装

封装/外壳:FBGA-

原厂包装:托盘

零件状态:批量生产

产品用途:LPDDR可以说是范围内广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存。Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR SDRAM的一种,又称为 mDDR(Mobile DDR SDRM),是美国JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。我司供应的产品包含SAMSUNG(三星电子)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。



LPDDR4的性能


由于输入/输出接口数据传输速度可达3200Mbps,是通常使用的DDR3 DRAM的两倍,新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。与LPDDR3内存芯片相比,LPDDR4的运行电压降为1.1伏,堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例,比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装,基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升,可节省40%的耗电量。同时,新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic),不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量,并使芯片能在低电压下进行高频率运转,实现了电源使用效率的化。




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