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TC58NYG2S0HBAI4 TOSHIBA（东芝） 原厂原装

生产商：TOSHIBA（东芝）

规格型号：TC58NYG2S0HBAI4

英文名称：NAND Flash

中文名称：NAND闪存

存储格式：闪存

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-63

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：汽车电子，台式电脑，服务器，游戏机，物联网设备，便携式电脑，智能电视，网络通信，人工智能，虚拟现实，增强现实，移动通信，工业控制，仪器仪表，安防监控，移动终端。我司供应的产品包含TOSHIBA（东芝）的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

NAND

NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作方式有点像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快。NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。

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