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深圳市明锐微科技有限公司
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EDW4032BABG-60-F-R 供应MICRON原装GDDR5
EDW4032BABG-60-F-R
MICRON
FBGA170
GDDR5
托盘
表面贴装
相关产品
产品信息
EDW4032BABG-60-F-R MICRON(镁光) 原厂原装
生产商:MICRON(镁光)
规格型号:EDW4032BABG-60-F-R
英文名称:GDDR5 SGRAM
中文名称:五代同步图形随机存储器
存储格式:RAM
安装类型:表面贴装
封装/外壳:
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端。我司供应的产品包含MICRON(镁光)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
GDDR5
第五版图形用双倍数据传输率存储器(Graphics Double Data Rate, version 5,简称GDDR5),是一种高性能显卡使用的同步动态随机存取存储器,专为高带宽需求计算机应用所设计。GDDR5和GDDR4一样基于DDR3 SDRAM改造而来,基本存储器架构和DDR3相若,存储器预取也是相同的8n设置。所谓的“预取”,及存储器芯片内部的存储器数组传输率与输出/输入(I/O)访问传输率的比值,“8n”代表I/O缓冲器读取存储器数组中8位的数据,提升存储器外部的传输速度。GDDR5为了增大带宽并降低延时,避免出现GDDR4那样高带宽但高延时的情况,与DDR3相比,GDDR5显示存储器使用了DQ并行双数据总线,相当于提供了在GDDR3的基础上多加了一条通道,而GDDR3显示存储器、DDR3存储器却只有一条通道;另外,GDDR5采用时钟频率分离的设计,地址与命令总线采用其中一组时钟频率信号,而数据总线则采用另外独立的一组,且为地址与命令总线时钟频率的两倍。所以GDDR5的理论速度可达DDR3的四倍、GDDR3/GDDR4的两倍,5GT/s以上的高传输率(亦即坊间所谓的5GHz高频)变成可能,通过高频率有可能使一款128bit的显卡性能超过DDR3的256bit显卡。
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